IBM и Lam Research вступают в пятилетнее партнерство для создания EUV-резиста для чипов менее 1 нм

Исторический альянс для следующего шага в микроэлектронике

Технологические гиганты IBM и Lam Research объявили о заключении важного пятилетнего соглашения, направленного на преодоление фундаментальных барьеров в производстве полупроводников. Центральной задачей сотрудничества станет разработка передовых материалов и производственных процессов, необходимых для масштабирования логических микросхем до техпроцесса менее 1 нанометра. Это партнерство представляет собой прямое продолжение их многолетнего взаимодействия, которое уже принесло плоды в виде ранних поколений технологий 7 нм, архитектур nanosheet и внедрения EUV-литографии.

Ключевой акцент делается на интеграции High-NA EUV-литографии (с высокой числовой апертурой) с новым типом фоторезиста. Объявление о начале этого этапа сотрудничества было сделано 10 марта 2026 года, подчеркивая стремление обеих компаний к ускорению внедрения технологий следующего поколения.

Технология сухого резиста Aether как ключ к миниатюризации

Одной из главных инноваций, на которую сделана ставка, является технология сухого резиста Aether, разработанная Lam Research. В отличие от традиционных фоторезистов, использующих «мокрые» химические процессы после экспозиции, Aether формируется из газообразных прекурсоров и обрабатывается плазменными сухими процедурами. Этот подход имеет критическое значение для High-NA EUV, поскольку он значительно снижает вероятность деградации рисунка при переносе сложных геометрий.

Эксперты отмечают, что металлоорганические соединения, лежащие в основе Aether, поглощают EUV-излучение в три-пять раз интенсивнее, чем стандартные углеродные материалы. Это, в свою очередь, позволяет снизить необходимую дозу облучения за один проход пластины, что критически важно для поддержания качества шаблона и достижения одноэкспозиционного формирования рисунка на самых передовых узлах.

Комплексный подход: от материалов до травления

Сотрудничество не ограничивается только разработкой резиста. Совместная работа охватит весь технологический маршрут. Команды сосредоточатся на создании новых материалов, усовершенствовании возможностей травления и осаждения для всё более сложных архитектур, включая аспекты 3D-масштабирования и технологии backside power delivery (подачи питания с обратной стороны кристалла).

«По мере того как отрасль вступает в новую эру 3D-масштабирования, прогресс зависит от переосмысления того, как материалы, процессы и литография объединяются в единую систему высокой плотности», — отметил Вахид Вахеди, главный технический директор Lam Research, подчеркивая важность системного подхода.

В рамках проекта будут задействованы современные платформы Lam Research, такие как травильные системы Kiyo и Akara, а также системы осаждения Striker и ALTUS Halo. Это позволяет валидировать полные технологические потоки, что необходимо для перехода от лабораторных разработок к серийному производству.

География и предыстория успеха

Практическая часть совместных разработок будет сосредоточена на базе IBM Research в комплексе NY Creates Albany NanoTech Complex в Олбани, штат Нью-Йорк. Это место давно зарекомендовало себя как важный центр для исследований в области передовых полупроводниковых технологий.

Мукеш Харе, генеральный директор IBM Semiconductors, высоко оценил роль Lam Research в предыдущих достижениях, включая создание IBM первого в мире чипа на техпроцессе 2 нм, представленного в 2021 году. Он выразил уверенность, что расширение партнерства поможет преодолеть новые вызовы, связанные с внедрением High-NA EUV и узлов ниже 1 нм. Продолжение этого сотрудничества подтверждает долгосрочную приверженность обеих компаний гонке за уменьшением размеров транзисторов, что является основой для развития искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.