Рига: -0.7°С
Революция в высокоскоростной памяти: анонс HBM4 от SK Hynix
Компания SK Hynix совершила значительный прорыв в индустрии памяти, продемонстрировав первый в мире стек 16-Hi HBM4 (High-Bandwidth Memory четвертого поколения). Эта новая технология памяти разработана специально для удовлетворения растущих потребностей будущих ускорителей в области искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC). Демонстрация подчеркнула стремление компании к масштабированию характеристик для следующего витка развития ИИ-инфраструктуры.
Ключевые характеристики представленного образца впечатляют: стек достиг объема в 48 ГБ, а его пропускная способность возросла до впечатляющих 2,9 ТБ/с. Эти показатели стали возможны благодаря ряду архитектурных улучшений, включая использование 2048-битной шины данных.
Технические достижения: скорость и ширина шины
Одним из наиболее заметных достижений является скорость передачи данных. Стек Hynix способен работать на скорости 10 ГТ/с (гигатранзакций в секунду). Примечательно, что эта заявленная скорость на 25% превышает официальные спецификации JEDEC для HBM4, что может дать существенное преимущество в производительности для ранних систем, использующих эту память. Сам стек демонстрирует скорость передачи данных на уровне 11,7 Гбит/с на контакт.
Широкая 2048-битная шина играет решающую роль в достижении такой колоссальной пропускной способности. Для сравнения, предыдущее поколение HBM3 обычно использовало 1024-битную шину. Такое удвоение ширины интерфейса в сочетании с увеличением тактовой частоты обеспечивает экспоненциальный рост потоковой передачи данных, критически важной для обучения и инференса крупномасштабных нейронных сетей.
Физическое масштабирование и производственный процесс
В сфере HBM критически важна не только электрическая производительность, но и возможность физического уплотнения чипов. SK Hynix сообщила, что, несмотря на увеличение количества слоев, габариты стеков HBM4 остаются сопоставимыми с HBM3/HBM3E — это примерно 10,5 × 12,0 мм. Это обеспечивает определенную совместимость с существующими дизайн-правилами для монтажа на логические кристаллы.
Однако HBM4 позволяет создавать значительно более высокие «башни» памяти. Представленный 16-Hi стек достигает высоты около 950 мкм, в то время как у 12-Hi HBM3 этот показатель составлял около 750 мкм. Преодоление этого барьера высоты стало возможным благодаря использованию передового технологического процесса 1b-нм (пятое поколение 10-нм класса) для DRAM-кристаллов и инновационной технологии упаковки MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill).
Технология MR-MUF позволяет одномоментно скреплять и герметизировать все вертикально уложенные слои, обеспечивая необходимую механическую стабильность и плотность ввода/вывода даже при увеличении высоты стека и усложнении интерконнектов.
Применение и влияние на ИИ-экосистему
Основным потребителем новой памяти HBM4 станут ускорители нового поколения, предназначенные для задач искусственного интеллекта. Увеличенная емкость и пропускная способность напрямую трансформируются в сокращение времени обучения моделей и повышение эффективности рабочих нагрузок инференса.
По оценкам аналитиков, переход на HBM4 может привести к росту общей производительности ИИ-ускорителей на значительный процент по сравнению с HBM3E, при этом ожидается и улучшение показателя энергоэффективности. Память HBM4, как ожидается, будет интегрирована в будущие продукты от ведущих разработчиков чипов, включая анонсированные ускорители от NVIDIA, которые должны появиться на рынке в ближайшее время.
Хотя HBM3E остается востребованной, прорыв Hynix с 16-Hi HBM4, предлагающим 48 ГБ на стек, устанавливает новый ориентир для индустрии. Этот шаг подтверждает тенденцию к непрерывному увеличению объема и скорости памяти, что является прямым ответом на экспоненциальный рост требований со стороны крупномасштабных моделей ИИ.
Следите за новостями на других платформах: