Рига: -12.7°С
Intel выходит из долгого перерыва: ZAM как ставка на ИИ-будущее
Компания Intel анонсировала свое возвращение на рынок оперативной памяти после почти 40-летнего отсутствия. Это знаковое событие стало возможным благодаря сотрудничеству с японской компанией SAIMEMORY, дочерним предприятием SoftBank Corp. Партнеры совместно работают над созданием и коммерциализацией новой технологии под названием Z-Angle Memory (ZAM), ориентированной на удовлетворение растущих потребностей в высокопроизводительной памяти для систем искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC). Intel покинула сегмент DRAM еще в 1985 году под натиском азиатских конкурентов, и теперь, на волне бума генеративного ИИ, намерена вновь занять ключевые позиции.
Соглашение о сотрудничестве было подписано 2 февраля 2026 года. В рамках проекта SAIMEMORY будет отвечать за исследования, разработку архитектур и вывод ZAM на рынок, в то время как Intel выступит в роли технологического партнера, новатора и разработчика стандартов.
Архитектурный прорыв: «Z-угол» против вертикали
Ключевое отличие ZAM от существующих решений, включая память с высокой пропускной способностью (HBM), кроется в ее уникальной топологии. В то время как традиционные стеки используют строго вертикальные межчиповые соединения, ZAM применяет «ступенчатую топологию с диагональными межчиповыми соединениями», что и дало название технологии – Z-Angle (связь по оси Z под углом). Этот подход позволяет более эффективно использовать площадь кристалла, что, в свою очередь, ведет к повышению плотности размещения ячеек памяти.
Технология построена на базе DRAM-кристаллов и использует фундаментальные наработки Intel в области бондинга нового поколения, известные как NGDB (Next Generation DRAM Bonding). NGDB, в свою очередь, является результатом работы в рамках программы Advanced Memory Technology (AMT), курируемой Министерством энергетики США и национальными лабораториями США.
Инженерные решения: Меньше тепла, больше связей
Помимо необычной геометрии, ZAM включает ряд новаторских инженерных решений, направленных на повышение производительности и эффективности:
- Гибридное соединение «медь-медь»: Этот метод позволяет объединять кремниевые слои в единый монолитный блок, что критически важно для снижения термического сопротивления.
- Уменьшение числа конденсаторов: Упрощение конструкции способствует увеличению плотности размещения ячеек.
- Интеграция через EMIB: Память будет подключаться к ИИ-чипам посредством фирменного моста Intel Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB), обеспечивая сверхвысокую скорость обмена данными.
Ожидается, что благодаря этим улучшениям, ZAM сможет предложить емкость до 512 ГБ на один чип. По предварительным оценкам, новая память будет на 40–50% энергоэффективнее по сравнению с текущим стандартом HBM. Некоторые источники также указывают на то, что ZAM может быть на 60% дешевле в производстве и в 2-3 раза емче HBM.
Рыночные перспективы и сроки внедрения
Рынок памяти для ИИ переживает взрывной рост, что делает выход Intel на него стратегически важным шагом. Разработка ZAM призвана стать прямой альтернативой доминирующей на рынке HBM, поставщики которой (в основном корейские компании) часто сталкиваются с дефицитом предложения и высокими ценами.
График коммерциализации амбициозен, но оставляет значительный запас времени для отладки: SAIMEMORY планирует представить первые рабочие прототипы в фискальном 2027 году (до 31 марта 2028 года) и достичь полномасштабного коммерческого производства в фискальном 2029 году.
SoftBank, в свою очередь, намерен интегрировать технологию ZAM в собственные специализированные процессоры Izanagi ASIC, подчеркивая стратегическую важность этого проекта для развития инфраструктуры ЦОД в Японии. Успех проекта, однако, будет зависеть от широкого принятия стандарта индустрией.
Следите за новостями на других платформах: