Рига: -5°С
Samsung заявляет об успехе HBM4 на фоне растущего спроса на ИИ-чипы
Южнокорейский технологический гигант Samsung Electronics, по всей видимости, добился значительного прогресса в разработке своей передовой памяти HBM4. По словам представителей компании, клиенты, уже успевшие протестировать новые чипы, выразили высокое удовлетворение их характеристиками, а некоторые даже заявили, что «Samsung вернулась» на передовые позиции в этом критически важном сегменте рынка.
Этот успех пришелся на период, когда спрос на высокопроизводительные чипы для систем искусственного интеллекта (ИИ) растет быстрее, чем ожидали аналитики. Генеральный директор компании в своем новогоднем обращении подчеркнул, что благоприятная внешняя конъюнктура позволила Samsung извлечь выгоду, оперативно представив востребованные решения.
Память с высокой пропускной способностью (HBM) является ключевым компонентом современных ускорителей ИИ, и, соответственно, приносит производителям значительно больше прибыли, чем традиционная память DDR в обычных условиях. Для Samsung это особенно важно на фоне обострившейся конкуренции с SK Hynix, которая в последнее время заняла лидирующие позиции в сегменте HBM.
Позиции на рынке HBM и стратегический фокус на следующее поколение
Несмотря на недавние успехи с HBM4, в третьем квартале прошлого года Samsung занимала второе место на мировом рынке HBM с долей около 35%, в то время как лидер, SK Hynix, удерживала 53%. Этот расклад сил стал результатом того, что Samsung ранее столкнулась с трудностями в своевременном налаживании производства и получении необходимых сертификаций, в частности от NVIDIA, что позволило конкуренту укрепиться.
Однако, похоже, ситуация меняется. Информационные сообщения начала 2026 года указывают на то, что Samsung активно сокращает отставание. Разработка шестого поколения HBM-памяти (HBM4) достигла финальной стадии перед массовым производством, и образцы уже проходят согласование с ключевыми заказчиками, включая NVIDIA.
«Samsung вернулась». Клиенты компании остались довольны тестами памяти HBM4.
Ожидается, что новая память HBM4, основанная, в частности, на собственной разработке DRAM 1c, сможет обеспечить прирост производительности до 60% по сравнению с предыдущим поколением HBM3E и продемонстрирует скорость передачи данных до 11 Гбит/с. Это делает ее привлекательной для следующего поколения ИИ-ускорителей, таких как серия NVIDIA Rubin.
Предзаказы и ожидания рынка
Интерес к будущему продукту Samsung настолько высок, что еще в ноябре 2025 года стало известно, что компания продала все чипы памяти HBM4, запланированные к производству на 2026 год, еще до старта серийного выпуска.
Сотрудничество с крупными игроками, такими как NVIDIA, является краеугольным камнем стратегии Samsung. В ноябре 2025 года компании объявили о создании совместной «мегафабрики искусственного интеллекта», которая будет использовать чипы NVIDIA и технологии Samsung для оптимизации производства полупроводников.
По мнению отраслевых экспертов, вертикальная интеграция Samsung, владеющей крупнейшими мощностями по производству DRAM, может позволить ей предлагать более конкурентоспособные цены на HBM4, не жертвуя при этом маржинальностью, что может изменить текущий баланс сил на рынке.
Контекст рынка ИИ и перспективы
Рынок памяти для ИИ переживает режим так называемого «суперцикла», подпитываемого беспрецедентным спросом на вычислительные мощности. В этом контексте каждая новая итерация HBM становится критически важным фактором успеха для разработчиков ускорителей.
Например, по данным на конец 2025 года, SK Hynix смогла временно выйти в лидеры рынка DRAM благодаря раннему успеху с HBM3 и HBM3E, которые активно использовались в серверах ИИ, в то время как Samsung пыталась наверстать упущенное.
Позитивные отзывы о HBM4 и высокий объем предзаказов свидетельствуют о том, что Samsung намерена вернуть себе значительную долю рынка, позиционируя себя как надежного поставщика следующего поколения памяти, необходимой для будущих прорывов в области искусственного интеллекта.
Следите за новостями на других платформах: